A magnetoresistive-effect device includes a multilayer film, hard bias
layers arranged on both sides of the multilayer film, and electrode layers
respectively deposited on the hard bias layers. The electrode layers are
formed, extending over the multilayer film. Under the influence of the
hard bias layers arranged on both sides of the multilayer, the multilayer
film, forming the magnetoresistive-effect device, has, on the end portions
thereof, insensitive regions which exhibit no substantial magnetoresistive
effect. The insensitive region merely increases a direct current
resistance. By extending the electrode layers over the insensitive regions
of the multilayer film, a sense current is effectively flown from the
electrode layer into the multilayer film. With a junction area between the
electrode layer and the multilayer film increased, the direct current
resistance is reduced, while the reproduction characteristics of the
device are thus improved.
Een magnetoresistive-gevolgapparaat omvat een multilayer film, harde bias lagen die aan beide kanten van de multilayer film wordt geschikt, en elektrodenlagen die respectievelijk op de harde bias lagen worden gedeponeerd. De elektrodenlagen worden gevormd, zich uitbreidt over de multilayer film. Onder de invloed van de harde bias lagen die aan beide kanten van multilayer worden geschikt, heeft de multilayer film, die het magnetoresistive-gevolgapparaat vormt, daarvan op de eindgedeelten, ongevoelige gebieden die geen wezenlijk magnetoresistive effect tentoonstellen. Het ongevoelige gebied verhoogt slechts een directe huidige weerstand. Door de elektrodenlagen over de ongevoelige gebieden van de multilayer film uit te breiden, wordt een betekenisstroom effectief gevlogen van de elektrodenlaag in de multilayer film. Met een verbindingsgebied tussen de verhoogde elektrodenlaag en de multilayer film, wordt de directe huidige weerstand verminderd, terwijl de reproductiekenmerken van het apparaat zo worden verbeterd.
