A method of fabricating a nitride-based semiconductor device capable of
reducing contact resistance between a nitrogen face of a nitride-based
semiconductor substrate or the like and an electrode is provided. This
method of fabricating a nitride-based semiconductor device comprises steps
of etching the back surface of a first semiconductor layer consisting of
either an n-type nitride-based semiconductor layer or a nitride-based
semiconductor substrate having a wurtzite structure and thereafter forming
an n-side electrode on the etched back surface of the first semiconductor
layer.
Un método de fabricar un dispositivo de semiconductor nitruro-basado capaz de reducir resistencia del contacto entre una cara del nitrógeno de un substrato nitruro-basado del semiconductor o de los similares y un electrodo se proporciona. Este método de fabricar un dispositivo de semiconductor nitruro-basado abarca pasos de grabar al agua fuerte la superficie trasera de una primera capa del semiconductor que consiste en un n-tipo capa nitruro-basada del semiconductor o un substrato nitruro-basado del semiconductor que tiene una estructura del wurtzite y que forma después de eso un electrodo del n-lado en detrás grabada al agua fuerte la superficie de la primera capa del semiconductor.
