A new method of performing the write operation on the MRAM bit cell with
improved switching selectivity and lower write current requirements is
achieved utilizing oscillating word write currents at frequency near the
ferromagnetic resonance frequency of the free layer, combined with the
shift in said frequency due to the magnetic field produced by the current
in the bit line. Operation is implemented in a conventional magnetic
random access memory having a plurality of magnetoresisitive cells formed
by an intersection of a grid of word and bit lines, wherein an individual
cell within the grid can be selected and switched from one magnetic state
to another by the magnetic fields produced by the currents in the word and
bit lines.
Un nuovo metodo di realizzare il funzionamento di scrittura sulla cellula di punta di MRAM con la selettività di commutazione migliorata e più basso scrive i requisiti della corrente è realizzato che utilizza la parola oscillante scrive le correnti a frequenza vicino alla frequenza ferromagnetica di risonanza dello strato libero, unita con lo spostamento nella frequenza detta dovuto il campo magnetico prodotto dalla corrente nella linea della punta. Il funzionamento è effettuato in una memoria di accesso casuale magnetica convenzionale che ha una pluralità di cellule magnetoresisitive costituite da un'intersezione di una griglia della parola ed ha morso le linee, in cui una cellula specifica all'interno della griglia può essere selezionata e passato da una magnetica dichiari ad un altro dai campi magnetici prodotti dalle correnti nella parola ed ha morso le linee.
