There is disclosed a semiconductor light emitting element formed by
selective growth and being high in light emitting efficiency, in which at
least one GaN-based layer grown by ELO in stacked/formed on a sapphire
substrate, and a fluorescent substance for converting an ultraviolet light
to a visible light is contained in a selective growth mask material layer
for use in this case. Since this fluorescent substance converts the
ultraviolet light to the visible light, a binding efficiency of the
ultraviolet light to the fluorescent substance is enhanced in either one
of a center light emitting type and UV light emitting type of light
emitting elements. By further containing the fluorescent substance into a
passivation film, the efficiency is further enhanced.
É divulgado um elemento emitindo-se claro do semicondutor dado forma o crescimento seletivo e estar elevado na luz que emite-se a eficiência, em que ao menos uma GaN-baseou a camada crescida por ELO em stacked/formed em uma carcaça do sapphire, e uma substância fluorescente para converter uma luz ultravioleta a uma luz visível é contida em uma camada material da máscara seletiva do crescimento para o uso neste caso. Desde que esta substância fluorescente converte a luz ultravioleta à luz visível, uma eficiência obrigatória da luz ultravioleta à substância fluorescente é realçada em qualquer um uma de uma luz center que emitem-se o tipo e da luz UV que emite-se o tipo de luz que emite-se elementos. Mais mais contendo a substância fluorescente em uma película do passivation, a eficiência é realçada mais mais.
