A method for processing a semiconductor memory device is disclosed, the
memory device including an array area and a support area thereon. In an
exemplary embodiment of the invention, the method includes removing, from
the array area, an initial pad nitride material formed on the device. The
initial pad nitride material in the support area, however, is still
maintained. Active device areas are then formed within the array area,
wherein the initial pad nitride maintained in the support area helps to
protect the support area from wet etch processes implemented during the
formation of active device areas within the array area.
Eine Methode für die Verarbeitung einer Halbleiterspeichervorrichtung wird, das größtintegrierte Speicherbauelement einschließlich einen Reihe Bereich und einen Unterstützungsbereich darauf freigegeben. In einer mustergültigen Verkörperung der Erfindung, schließt die Methode das Entfernen, vom Reihe Bereich, ein Ausgangsauflagenitridmaterial, das auf der Vorrichtung gebildet wird ein. Das Ausgangsauflagenitridmaterial im Unterstützungsbereich jedoch wird noch beibehalten. Aktive Vorrichtung Bereiche werden dann innerhalb des Reihe Bereichs gebildet, worin das Ausgangsauflagenitrid, das im Unterstützungsbereich beibehalten wird, hilft, den Unterstützungsbereich vor den nassen Ätzungprozessen zu schützen, die während der Anordnung der aktiven Vorrichtung Bereiche innerhalb des Reihe Bereichs eingeführt werden.
