In order to fabricate a semiconductor component having a contact electrode
that is T-shaped in cross section, in particular a field-effect transistor
with a T gate, a method is described in which a self-aligning positioning
of gate base and gate head is effected by means of a spacer produced on a
material edge.
Para fabricar un componente del semiconductor que tiene un electrodo del contacto que T-se forme en la sección transversal, en detalle un transistor del efecto de campo con una puerta de T, un método se describe en el cual una colocación autoalineadora de la base de la puerta y de la cabeza de la puerta se efectúe por medio de un espaciador produjo en un borde material.
