A resist composition comprising (A) a polymer comprising recurring units
having an alicyclic hydrocarbon backbone to which a carboxylate moiety
capable of generating carboxylic acid when decomposed under acidic
conditions is attached through a C1-C20 alkylene spacer, (B) a photoacid
generator, and (C) an organic solvent is sensitive to high-energy
radiation, and has excellent sensitivity and resolution at a wavelength
below 180 nm, and good plasma etching resistance. Because these features
of the inventive resist composition enable its use particularly as a
resist at the exposure wavelength of a F.sub.2 excimer laser, a finely
defined pattern can easily be formed, making the resist ideal as a
micropatterning material in VLSI fabrication.
Ein widerstehenaufbau, der (a) ein Polymer-Plastik enthält die wiederkehrenden Maßeinheiten haben ein alizyklisches Kohlenwasserstoffrückgrat enthält, zu dem eine Karboxylathälfte, die zum Erzeugen der karboxylhaltigen Säure fähig ist, wenn sie unter säurehaltigen Bedingungen zerlegt wird, durch eine Distanzscheibe des Alkens C1-C20, (b) ein photoacid Generator angebracht wird und (c) ein organisches Lösungsmittel für energiereiche Strahlung empfindlich ist und hat ausgezeichnete Empfindlichkeit und Auflösung an einer Wellenlänge unter 180 nm und guten Plasmaradierung Widerstand. Weil diese Eigenschaften vom erfinderischen Aufbau widerstehen, ermöglichen Sie seinem Gebrauch besonders als widerstehen an der Belichtung Wellenlänge eines excimer F.sub.2 Lasers, ein fein definiertes Muster kann leicht gebildet werden und widerstehen ideal bilden als micropatterning Material in der VLSI Herstellung.
