According to the present invention, laser performance is improved by
appropriately matching the spectral periods of various etalons within the
laser cavity. A first embodiment of the invention is a discretely tunable
external cavity semiconductor laser where a grid fixing etalon is present
in the laser cavity, the grid fixing etalon free spectral range (FSR) is a
whole number multiple of the laser cavity FSR, and the grid fixing etalon
FSR is a whole number multiple of the chip etalon FSR. A second embodiment
of the invention is a fixed wavelength external cavity semiconductor laser
where the chip etalon FSR is a whole number multiple of the laser cavity
FSR, and a mode suppressing etalon is inserted into the laser cavity such
that the mode suppressing etalon FSR is a whole number multiple of the
chip etalon FSR. A third embodiment of the invention is a tunable external
cavity semiconductor laser where the chip etalon FSR is a whole number
multiple of the laser cavity FSR. A fourth embodiment of the invention is
a fixed wavelength external cavity semiconductor laser where the chip
etalon FSR is a whole number multiple of the laser cavity FSR.
De acordo com a invenção atual, o desempenho do laser é melhorado apropriadamente combinando os períodos spectral de vários etalons dentro da cavidade do laser. Uma primeira incorporação da invenção é um laser externo discretely ajustável do semicondutor da cavidade onde um etalon reparando da grade esteja atual na cavidade do laser, o etalon reparando da grade livre que a escala spectral (FSR) é um múltiplo do número inteiro da cavidade FSR do laser, e o etalon reparando FSR da grade é um múltiplo do número inteiro do etalon FSR da microplaqueta. Uma segunda incorporação da invenção é um laser externo do semicondutor da cavidade do wavelength fixo onde o etalon FSR da microplaqueta seja um múltiplo do número inteiro da cavidade FSR do laser, e uma modalidade que suprime o etalon é introduzida na cavidade do laser tais que a modalidade que suprime o etalon FSR é um múltiplo do número inteiro do etalon FSR da microplaqueta. Uma terceira incorporação da invenção é um laser externo ajustável do semicondutor da cavidade onde o etalon FSR da microplaqueta seja um múltiplo do número inteiro da cavidade FSR do laser. Uma quarta incorporação da invenção é um laser externo do semicondutor da cavidade do wavelength fixo onde o etalon FSR da microplaqueta seja um múltiplo do número inteiro da cavidade FSR do laser.
