An object of this invention is to provide a semiconductor device
manufacturing method in which a semiconductor film is formed over a
substrate, the semiconductor film is crystallized by irradiating a laser
light, a silicon oxide film is formed in contact with the crystalline
semiconductor film by using organic silane, a gate electrode is formed in
contact with the silicon oxide film, an impurity element is introduced
into the crystalline semiconductor film, the impurity element is
activated, an interlayer insulating film is formed over the gate
electrode, and then a wiring comprising aluminum is formed over the
interlayer insulating film.
Een doel van deze uitvinding is een halfgeleiderapparaat productiemethode te verstrekken waarin een halfgeleiderfilm over een substraat wordt gevormd, wordt de halfgeleiderfilm gekristalliseerd door een laserlicht te bestralen, wordt een film van het siliciumoxyde gevormd in contact met de kristallijne halfgeleiderfilm door organisch silaan te gebruiken, wordt een poortelektrode gevormd in contact met de film van het siliciumoxyde, wordt een onzuiverheidselement geïntroduceerd in de kristallijne halfgeleiderfilm, wordt het onzuiverheidselement geactiveerd, wordt een tussenlaag isolerende film gevormd over de poortelektrode, en dan wordt een bedrading het bestaan uit aluminium gevormd over de tussenlaag isolerende film.
