Disclosed are methods for processing a low k material involving providing a
low k material layer comprising one or more low k polymer materials and
one or more high modulus fillers on a semiconductor substrate, and
chemical mechanical polishing the low k material layer so as to remove a
portion of the low k material layer from the semiconductor substrate
without substantially damaging unremoved portions of the low k material
layer. In this connection, low k material layers for a semiconductor
structure containing one or more low k polymer materials and one or more
high modulus fillers are disclosed, as well as methods of making the low k
material layers.
São divulgados os métodos para processar um material baixo de k que envolve fornecendo uma camada material baixa de k que compreende um ou mais material de polímero baixo de k e um ou mais enchimentos elevados do modulus em uma carcaça do semicondutor, e mecânico químico lustrando a camada material baixa de k para remover uma parcela da camada material baixa de k da carcaça do semicondutor sem substancialmente danificar unremoved parcelas da camada baixa do material de k. Nesta conexão, as camadas materiais baixas de k para um semicondutor estruturam conter um ou mais material de polímero baixo de k e um ou mais enchimentos elevados do modulus são divulgadas, as.well.as métodos de fazer o material baixo de k mergulham.
