A method of chemical-mechanical polishing for forming a shallow trench
isolation is disclosed. A substrate having a number of active regions,
including a number of relatively large active regions and a number of
relative small active regions, is provided. The method comprises the
following steps. A silicon nitride layer on the substrate is formed. A
number of shallow trenches are formed between the active regions one or
more of which may constitute an alignment mark. An oxide layer is formed
over the substrate, so that the shallow trenches are filled with the oxide
layer. A partial reverse active mask is formed on the oxide layer. The
partial reverse active mask exposes a portion of the oxide layer over the
large active area and over the alignment mark. The oxide layer of each
large active region and the alignment mark is removed. The partial reverse
active mask is removed. The oxide layer is planarized.
Un método de pulir producto-meca'nico para formar un aislamiento bajo del foso se divulga. Un substrato que tiene un número de regiones activas, incluyendo un número de regiones activas relativamente grandes y un número de regiones activas pequeñas relativas, se proporciona. El método abarca los pasos siguientes. Una capa del nitruro de silicio en el substrato se forma. Un número de fosos bajos se forman entre las regiones activas una o más de las cuales puede constituir una marca de alineación. Una capa del óxido se forma sobre el substrato, para llenar los fosos bajos de la capa del óxido. Una máscara activa reversa parcial se forma en la capa del óxido. La máscara activa reversa parcial expone una porción de la capa del óxido sobre el área activa y el excedente grandes la marca de alineación. La capa del óxido de cada región activa grande y de la marca de alineación se quita. Se quita la máscara activa reversa parcial. La capa del óxido es planarized.
