Methods of patterning resists and structures including the patterned
resists are disclosed. A patterned, multi-transmissive mask is used during
patterning of resists to control exposure at areas of the resist at which
features having different detail are desired. Exposure is varied in more
finely patterned and more grossly patterned areas of the resist. The
patterned resists have a high degree of topographical uniformity.
I metodi di modello resiste a e le strutture compreso modellato resiste a sono rilevate. Una mascherina modellata e multi-transmissive è usata durante il modello del resiste di controllare l'esposizione alle zone della resistenza a cui le caratteristiche che hanno particolare differente sono volute. L'esposizione è variata nelle zone più con precisione modellate e più grossolanamente modellate della resistenza. Modellato resiste a ha un alto grado di uniformità topografica.
