A multi-layer Auger suppressed diode having at least two exclusion
interfaces and at least two extraction interfaces. A specific embodiment
has two composite contacts, each consisting of a heavily doped layer (3,
4) and a buffer layer (8, 9) of lower doped, high bandgap material
sandwiched between the heavily doped layer and the active region (2) of
the device.
Un taladro de múltiples capas suprimió el diodo que tenía por lo menos dos interfaces de la exclusión y por lo menos dos interfaces de la extracción. Una encarnación específica tiene dos contactos compuestos, cada uno que consiste en una capa pesadamente dopada (3, 4) y una capa del almacenador intermediario (8, 9) de un material dopado, alto más bajo del bandgap intercalado entre la capa pesadamente dopada y la región activa (2) del dispositivo.
