A capacitor structure having a re-oxide layer on a nitride layer, wherein
an interface between the nitride layer and the re-oxide layer includes
electron traps. Characteristics of the carrier traps control a voltage
output of the device. The thickness of the nitride layer and the re-oxide
layer also control the voltage output. The nitride layer and a re-oxide
layer form a dielectric capacitor. The dielectric capacitor undergoes a
trap filled limit voltage, wherein a consistent voltage is output for a
plurality of currents.
Una struttura del condensatore che ha uno strato dell're-ossido su uno strato del nitruro, in cui un'interfaccia fra lo strato del nitruro e lo strato dell're-ossido include le prese dell'elettrone. Le caratteristiche dell'elemento portante intrappola il controllo un'uscita di tensione del dispositivo. Lo spessore dello strato del nitruro e l're-ossido fanno uno strato di inoltre il controllo l'uscita di tensione. Lo strato del nitruro e un re-ossido fanno uno strato di la forma un condensatore dielettrico. Il condensatore dielettrico subisce una tensione di limite riempita presa, in cui una tensione costante è prodotta per una pluralità di correnti.
