In the manufacture of a silicon single crystal by the Czochralski method,
there is provided a seed crystal for use in the production of the silicon
single crystal. This seed crystal is capable of preventing creation of a
dislocation occurring during the immersion of the seed crystal in the
molten silicon and withstanding the load of a silicon single crystal of
great weight as well. There is also a method for the production of the
seed crystal and a method for the production of a silicon single crystal
which enables the ratio of elimination of dislocation to be increased. A
seed crystal for the production of a silicon single crystal for use in the
manufacture of a silicon single crystal by the Czochralski method, has the
boron concentration in the silicon single crystal as the matrix from which
the silicon seed crystal is excised is not less than 4.times.10.sup.18
atoms/cm.sup.3 and not more than 4.times.10.sup.19 atoms/cm.sup.3 and the
silicon seed crystal is excised from the silicon single crystal as the
matrix, ground, and lapped, and subsequently subjected to surface etching.
В изготовлении кристалла кремния одиночного методом Czochralski, обеспечено кристаллу семени для пользы в продукции кристалла кремния одиночного. Этот кристалл семени способен предотвращать творение вывихивания происходя во время погружения кристалла семени в жидком кремнии и выдерживая нагрузку кристалла кремния одиночного большого веса также. Будет также метод для продукции кристалла семени и метод для продукции кристалла кремния одиночного позволяет коэффициент исключения вывихивания быть увеличенным. Кристалл семени для продукции кристалла кремния одиночного для пользы в изготовлении кристалла кремния одиночного методом Czochralski, имеет концентрацию бора в кристалле кремния одиночном по мере того как матрица от которой вырезан кристалл семени кремния не чем 4.times.10.sup.18 atoms/cm.sup.3 и не больше чем 4.times.10.sup.19 atoms/cm.sup.3 и кристалл семени кремния вырезан от кристалла кремния одиночного как матрица, земля, и после того как он скложен, и затем подвергли к поверхностному вытравливанию.
