A surface-emitting laser, such as a VCSEL, for generating single-transverse
mode laser light at a lasing wavelength, has a first mirror and a second
mirror positioned so as to define a laser cavity therebetween, and a
semiconductor active region disposed between the first and second mirrors
for amplifying, by stimulated emission, light in the laser cavity at the
lasing wavelength. An annular antiguide structure is disposed within the
laser cavity and between the active region and one of the first and second
mirrors, the annular antiguide structure comprising an antiguide material
and having a central opening, the central opening comprising a second
material having an index of refraction for light at the lasing wavelength
smaller than that of the antiguide material, whereby the annular antiguide
structure causes preferential antiguiding of higher order transverse
lasing modes in the laser cavity.
Un laser d'surface-émission, tel qu'un VCSEL, pour produire de la lumière de laser simple-transversale de mode à une longueur d'onde lasing, a un premier miroir et un deuxième miroir placé afin de définir une cavité de laser therebetween, et une région active de semi-conducteur disposée entre les premiers et deuxièmes miroirs pour amplifier, par l'émission stimulée, lumière dans la cavité de laser à la longueur d'onde lasing. Une structure annulaire d'antiguide est disposée dans la cavité de laser et entre la région et les actives des premiers et deuxièmes miroirs, la structure annulaire d'antiguide comportant un matériel d'antiguide et ayant une ouverture centrale, l'ouverture centrale comportant un deuxième matériel ayant un indice de réfraction pour la lumière à la longueur d'onde lasing plus petite que celle du matériel d'antiguide, par lequel la structure annulaire d'antiguide cause anti-directeur préférentiel des modes lasing transversaux d'ordre plus supérieur dans la cavité de laser.
