A multi-wavelength semiconductor image sensor comprises a p-type Hg.sub.0.7
Cd.sub.0.3 Te photo-absorbing layer formed on a single crystal CdZnTe
substrate, a CdTe isolation layer deposited on the photo-absorbing layer,
a p-type Hg.sub.0.77 Cd.sub.0.23 Te photo-absorbing layer deposited on the
CdTe isolation layer, n.sup.+ regions which are formed in these
photo-absorbing layers and form a pn-junction with each of these
photo-absorbing layers, an indium electrode connected to each of these
n.sup.+ regions and a ground electrode connected to the photo-absorbing
layer, the semiconductor isolation layer being electrically isolated from
the photo-absorbing layer.
Een het beeldsensor van de multi-golflengtehalfgeleider bestaat uit p-type Hg.sub.0.7 een foto-absorberende laag Cd.sub.0.3 Te die op een enig kristalcdZnTe substraat wordt gevormd, een CdTe isolatielaag die op de foto-absorberende laag, p-type Hg.sub.0.77 een foto-absorberende laag Cd.sub.0.23 Te wordt gedeponeerd die op de CdTe de isolatielaag, n.sup. + gebieden wordt gedeponeerd die in deze foto-absorberende lagen worden gevormd en een pn-verbinding met elk van deze foto-absorberende lagen vormen, een indiumelektrode die met elk van deze n.sup. + gebieden wordt verbonden en een grondelektrode die met de foto-absorberende laag wordt verbonden, de laag die van de halfgeleiderisolatie elektrisch van de foto-absorberende laag wordt geïsoleerd.
