A memory device includes a data layer having a magnetization that can be
oriented in first and second directions; and a synthetic ferrimagnet
reference layer. The data and reference layers have different
coercivities.
Приспособление памяти вклюает слой данных имея замагничивание можно ориентировать внутри сперва и вторые направления; и синтетический слой справки ferrimagnet. Слои данных и справки имеют по-разному коэрцитивности.