A method and apparatus for a recording head using a spin-dependent
tunneling (SDT) junction. The SDT junction utilizes an aluminum oxide
tunnel barrier. The tunnel barrier can be formed to a thickness comparable
with a typical Cu spacer layer on a spin valve. With the SDT junction,
current is applied perpendicular to the plane of the film. The SDT
junctions can have high magneto-resistance up to 40%. The magnetoresistive
qualities of a head design incorporating the SDT junction are not directly
related to head resistance, head geometry, bias current and film
thickness. The method can include forming a spin tunnel barrier by
fashioning a stack into a bottom electrode, defining a junction,
depositing a layer of insulator, performing a photoprocess, depositing an
upper electrode layer and lifting off the top electrode layer to define
the electrode. The stack can include a pinned layer, a barrier layer and a
free layer. The pinned layer can include NiFe. The barrier layer can
include AlO.sub.x. The free layer can include Co. The junction can be
defined with an ion mill and the insulator can include Al.sub.2 O.sub.3.
In addition, the top electrode layer can include Cu.
Un método y un aparato para una cabeza de grabación usando una ensambladura hacer girar-dependiente el hacer un túnel (SDT). La ensambladura de SDT utiliza una barrera del túnel del óxido de aluminio. La barrera del túnel se puede formar a un grueso comparable con una capa típica del espaciador del Cu en una válvula de la vuelta. Con la ensambladura de SDT, la corriente es perpendicular aplicado al plano de la película. Las ensambladuras de SDT pueden tener alta magnetorresistencia hasta el 40%. Las calidades magnetoresistentes de un diseño principal que incorpora la ensambladura de SDT no se relacionan directamente con la resistencia principal, la geometría principal, la corriente del diagonal y el espesor del film. El método puede incluir la formación de una barrera del túnel de la vuelta formando un apilado en un electrodo de tierra, definiendo una ensambladura, depositando una capa del aislador, la ejecución los photoprocess, depositar una capa superior del electrodo y quitar la capa superior del electrodo para definir el electrodo. El apilado puede incluir una capa fijada, una capa de barrera y una capa libre. La capa fijada puede incluir NiFe. La capa de barrera puede incluir AlO.sub.x. La capa libre puede incluir el Co. La ensambladura se puede definir con un molino del ion y el aislador puede incluir Al.sub.2 O.sub.3. Además, la capa superior del electrodo puede incluir el Cu.
