A high dielectric constant (HDC) capacitive dielectric film is fabricated
in a capacitor structure using relatively high pressure surface
treatments. After forming the HDC capacitive dielectric film on a
supporting bottom plate electrode structure, a surface treatment
comprising oxidation, at a pressure of at least approximately one
atmosphere and temperatures of approximately at least 200 degrees Celsius
densifies/conditions the HDC capacitive dielectric film. When using a
polysilicon, crystalline silicon, hemispherical grain polysilicon,
germanium, or silicon-germanium bottom plate electrode, a relatively high
pressure surface treatment, comprising rapid thermal nitridation or
oxidation, is used after forming the bottom plate electrode, forming a
diffusion barrier layer in a controlled manner.
Un haut film diélectrique capacitif diélectrique de la constante (HDC) est fabriqué dans une structure de condensateur en utilisant les traitements extérieurs relativement à haute pression. Après la formation du film diélectrique capacitif de HDC sur une structure de support d'électrode d'embase, un traitement extérieur comportant l'oxydation, à une pression au moins de l'approximativement une atmosphère et aux températures approximativement au moins de 200 degrés de densifies/conditions Celsius le film diélectrique capacitif de HDC. En utilisant un polysilicon, le silicium cristallin, le polysilicon hémisphérique de grain, le germanium, ou l'électrode d'embase de silicium-germanium, un traitement extérieur relativement à haute pression, comportant le nitridation ou l'oxydation thermique rapide, est employé après la formation de l'électrode d'embase, formant une couche-barrière de diffusion d'une façon commandée.
