A radiation hardening circuit that includes two series-connected
transistors that can replace any single transistor in a circuit. The
hardening circuit includes a resistor that has a first node and a second
node, a first transistor having a source terminal, a gate terminal, a
drain terminal, and a body terminal. The first node of the resistor may be
conductively connected to the drain terminal of the first transistor and
the second node of the resistor is conductively connected to the body
terminal of the first transistor. The hardening circuit also includes a
second transistor in series with the first transistor, driven so that both
transistors are off or on at any given time. The circuit is resistant to
radiation-induced events due to the body bias of the first transistor, the
off state of the second transistor, and the current limiting effect of the
resistor.
Eine Strahlung, die Stromkreis verhärtet, der zwei in Reihe geschaltete Transistoren miteinschließt, die jeden einzelnen Transistor in einem Stromkreis ersetzen können. Der verhärtende Stromkreis schließt einen Widerstand mit ein, der einen ersten Nullpunkt und einen zweiten Nullpunkt, einen ersten Transistor hat, der einen Quellanschluß, einen Gatteranschluß, einen Abflußanschluß und einen Körperanschluß hat. Der erste Nullpunkt des Widerstandes kann an den Abflußanschluß des ersten Transistors leitend angeschlossen werden und der zweite Nullpunkt des Widerstandes wird leitend an den Körperanschluß des ersten Transistors angeschlossen. Der verhärtende Stromkreis schließt auch einen zweiten Transistor in der Reihe mit dem ersten Transistor mit ein, gefahren, damit beide Transistoren aus oder an zu jeder möglicher gegebenen Zeit sind. Der Stromkreis ist gegen die strahlungsinduzierten Fälle wegen der Körpervorspannung des ersten Transistors, des aus Zustandes des zweiten Transistors und des gegenwärtigen Begrenzungseffektes des Widerstandes beständig.
