This invention provides an asymmetrically patterned magnetic memory storage
device. In a particular embodiment at least one magnetic memory cell is
provided. Each magnetic memory cell provides at least one ferromagnetic
data layer of a first size, the data layer characterized by an alterable
orientation of magnetization, an intermediate layer in contact with the
data layer and at least one ferromagnetic reference layer of a second
size, the reference layer characterized by a reference magnetic field. The
reference layer is in contact with the intermediate layer, opposite from
and asymmetric to the data layer. The magnetic memory cell is
characterized as having only one-end involvement. More specifically, the
asymmetric alignment provides that only one set of magnetic poles are in
substantial vertical alignment, and as such subject to the strong
influence of one another.
Этот вымысел обеспечивает несимметрично сделанное по образцу магнитное запоминающее устройство памяти. В определенном воплощении по крайней мере обеспечен один магнитный ячейкы памяти. Каждый магнитный ячейкы памяти обеспечивает по крайней мере один сегнетомагнитный слой данных первого размера, слоя данных, котор характеризует alterable ориентация замагничивания, промежуточного слоя in contact with слой данных и по крайней мере один сегнетомагнитный слой второго размера, слой справки справки, котор характеризует поле справки магнитное. Слой справки in contact with промежуточный слой, противоположный от и асимметричный к слоя данных. Магнитный ячейкы памяти охарактеризован как имеющ только запутанность одн-konqa. Более специфически, асимметричное выравнивание обеспечивает что только один комплект магнитных полюсов находится в существенном вертикальном выравнивании, и как такие subject to сильное влияние одного другое.
