Electroplating process for avoiding defects in metal features of integrated circuit devices

   
   

Electroplating methods using an electroplating bath containing metal ions and a suppressor additive, an accelerator additive, and a leveler additive, together with controlling the current density applied to a substrate, avoid defects in plated films on substrates having features with a range of aspect ratios, while providing good filling and thickness distribution. The methods include, in succession, applying DC cathodic current densities optimized to form a conformal thin film on a seed layer, to provide bottom-up filling, preferentially on features having the largest aspect ratios, and to provide conformal plating of all features and adjacent field regions. Including a leveling agent in the electroplating bath produces films with better quality after subsequent processing.

Los métodos de electrochapado usando un baño de galvanoplastia que contiene iones del metal y un añadido del supresor, un añadido del acelerador, y un añadido del nivelador, junto con controlar la densidad corriente aplicada a un substrato, evitan defectos en películas plateadas en los substratos que tienen características con una gama de los cocientes de aspecto, mientras que proporcionan el buen relleno y la distribución del grueso. Los métodos incluyen, en la sucesión, aplicando las densidades corrientes catódicas de la C.C. optimizadas para formar una película fina conformal en una capa de la semilla, para proporcionar el relleno bottom-up, preferencial en las características que tienen los cocientes de aspecto más grandes, y para proporcionar la galjanoplastia conformal de todas las características y regiones adyacentes del campo. Incluyendo nivelando un agente en el baño de galvanoplastia produce las películas con una calidad mejor después de procesar subsecuente.

 
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