A structure having a p-n junction in a semiconductor having a first p-type
region and a first n-type region along with a region located in the
vicinity of the p-n junction that is doped with a rare-earth element. In
addition, the structure includes a charge source coupled to one of the
p-type region and n-type region for providing charge carriers to excite
atoms of the rare-earth element. Also provided is a method for producing
the structure that includes providing a bipolar junction transistor;
doping a region in a collector of the transistor with a rare-earth
element; and biasing the transistor to generate light emission from the
rare-earth element doped region.
Eine Struktur, die eine p-n Verzweigung in einem Halbleiter hat eine erste Part Region und eine erste Nart Region zusammen mit einer Region gelegen in der Nähe der p-n Verzweigung hat, die mit einem Seltenerd- Element lackiert wird. Zusätzlich schließt die Struktur eine Aufladung Quelle verbunden bis eine der Part Region und der Nart Region für das Zur Verfügung stellen der Aufladung Fördermaschinen, um Atome des Seltenerd- Elements aufzuregen ein. Auch gestellt eine Methode für das Produzieren der Struktur zur Verfügung, die das Zur Verfügung stellen eines bipolaren Sperrschicht-Transistors einschließt; Lackieren einer Region in einem Kollektor des Transistors mit einem Seltenerd- Element; und den Transistor beeinflussend, um helle Emission vom Seltenerd- Element zu erzeugen, lackierte Region.
