A polymer blend is provided for use in a lithographic photoresist
composition, particularly a chemical amplification photoresist. In a
preferred embodiment, the polymer blend is substantially transparent to
deep ultraviolet radiation, i.e., radiation of a wavelength less than 250
nm, including wavelengths of 157 nm, 193 nm and 248 nm, and has improved
sensitivity and resolution. Processes for preparing and using the polymer
blend are also provided, as are lithographic photoresist compositions that
contain the polymer blend.
Eine Polymer-Plastik Mischung wird für Gebrauch in einem lithographischen Photoresistaufbau, besonders ein chemischer Verstärkung Photoresist zur Verfügung gestellt. In einer bevorzugten Verkörperung ist die Polymer-Plastik Mischung zur tiefen ultravioletten Strahlung d.h. Strahlung einer Wellenlänge weniger als 250 nm, einschließlich Wellenlängen von 157 nm, von 193 nm und von 248 nm im wesentlichen transparent und hat Empfindlichkeit und Auflösung verbessert. Prozesse für das Vorbereiten und das Verwenden der Polymer-Plastik Mischung werden auch zur Verfügung gestellt, wie lithographischer Photoresistaufbau, der die Polymer-Plastik Mischung enthalten.
