In order to shorten the period for the development and manufacture of a
semiconductor integrated circuit device, at the time of transferring
integrated circuit patterns onto a wafer by an exposure process, a
photomask PM1 is used which is provided partially with light shielding
patterns 3a formed of a resist film, in addition to light shielding
patterns formed of a metal.
Um die Periode für die Entwicklung und die Herstellung einer Halbleiterschaltungvorrichtung, zu der Zeit der bringenden Schaltungmuster auf eine Oblate durch einen Belichtung Prozeß zu verkürzen, wird eine Photomaske PM1 die teilweise mit dem Licht versehen wird, welches die Muster abschirmt 3a, die von einem widerstehenfilm gebildet werden, zusätzlich zum Licht benutzt, welches die Muster abschirmt, die von einem Metall gebildet werden.
