A method for the formation of a silica film which comprises treating a film
in a supercritical medium, the film comprising (A) a siloxane compound and
(B) at least one member selected from the group consisting of (B-1) a
compound compatible with or dispersible in ingredient (A) and having a
boiling or decomposition temperature of from 150 to 500.degree. C. and
(B-2) a surfactant. The silica film has excellent mechanical strength
showing a dielectric constant of generally 2.2 or lower, and hence is
useful as a dielectric film in semiconductor devices and the like.
Un metodo per la formazione di una pellicola del silicone che contiene trattare una pellicola in un mezzo ipercritico, la pellicola che contiene (A) un residuo del silossano e (B) almeno un membro ha scelto dal gruppo che consiste (B-1) di un residuo compatibile con o disperdibile in l'ingrediente (A) e che ha una temperatura di decomposizione o di ebollizione di 150 a 500.degree. C. e (B-2) un agente tensioattivo. La pellicola del silicone ha resistenza meccanica eccellente mostrare un costante dielettrico di generalmente 2.2 o si abbassa e quindi รจ utile come pellicola dielettrica nei dispositivi a semiconduttore ed in simili.
