The present invention provides a spin-valve magnetoresistance sensor in
which are formed, on top of the substrate, free layers, and pinned layers,
enclosing a nonmagnetic spacer layer, and an antiferromagnetic layer
adjacent to the pinned layers. The sensor is also equipped with a back
layer including at least two nonmagnetic metal layers adjacent to the free
layers on the side of the free layers opposite the nonmagnetic spacer
layer. The back layer has at least one nonmagnetic metal layer of Cu with
high electrical conductivity, preferably formed adjacent to the free
layers, as for example in a two-layer structure of Cu and Ru or a
three-layer structure Ru/Cu/Ru. In addition to a high read output,
fluctuations in H.sub.int with the film thickness of the back layer can be
suppressed and sensor characteristics stabilized, and high recording
densities can be realized.
La presente invenzione fornisce un sensore di magnetoresistenza della fil-valvola in cui sono formati, in cima al substrato, gli strati liberi e gli strati appuntati, accludendo uno strato non magnetico del distanziatore e uno strato antiferromagnetic adiacente agli strati appuntati. Il sensore inoltre è dotato di uno strato posteriore compreso almeno due strati non magnetici del metallo adiacente agli strati liberi dal lato degli strati liberi di fronte allo strato non magnetico del distanziatore. Lo strato posteriore ha almeno uno strato non magnetico del metallo di Cu con alta conduttività elettrica, formato preferibilmente adiacente agli strati liberi, come per esempio in una struttura di due-strato di Cu e di Ru o in una struttura Ru/Cu/Ru di tre-strato. Oltre che un high colto l'uscita, fluttuazioni in H.sub.int con lo spessore di pellicola dello strato posteriore può essere soppressa e caratteristiche del sensore stabilizzate e le alte densità di registrazione possono essere realizzate.
