A laser apparatus includes a semiconductor laser element, a
surface-emitting semiconductor element including a first mirror, a second
mirror, and a modulation unit. The semiconductor laser element emits first
laser light having a first wavelength. The surface-emitting semiconductor
element is excited with the first laser light, emits second laser light
having a second wavelength which is longer than the first wavelength. The
first mirror in the surface-emitting semiconductor element is arranged on
one side of the first active layer. The second mirror is arranged outside
the surface-emitting semiconductor element so that the first and second
mirrors form a resonator in which the second laser light resonates. The
modulation unit modulates the surface-emitting semiconductor element.
Прибор лазера вклюает элемент лазера полупроводника, поверхност-ispuska4 элемент полупроводника включая первое зеркало, второе зеркало, и блок модуляции. Элемент лазера полупроводника испускает первый свет лазера имея первую длину волны. Поверхност-ispuska4 элемент полупроводника возбужен с первым светом лазера, испускает второй свет лазера имея вторую длину волны более длинне чем первая длина волны. Первое зеркало в поверхност-ispuska4 элементе полупроводника аранжировано на одной стороне первого активно слоя. Второе зеркало будет аранжированным снаружи поверхност-ispuska4 элемент полупроводника так, что первые и вторые зеркала сформируют резонатор в второй свет лазера resonates. Блок модуляции модулирует поверхност-ispuska4 элемент полупроводника.
