A plurality of internal circuits of a memory device are operable at first
and second internal voltages, where the first internal voltage is less
than the second internal voltage. A first power port of the memory device
receives a first power supply voltage, and a second power port of the
memory device receives a second power supply voltage, where the first
power supply voltage is less than the second power supply voltage. An
internal voltage generation circuit of the memory device is selectively
operable in either a first mode in which the second internal voltage is
generated from the first power supply voltage, or a second mode in which
the second internal voltage is generated from the second power supply
voltage.
Een meerderheid van interne kringen van een geheugenapparaat is opereerbaar aanvankelijk en tweede interne voltages, waar het eerste interne voltage minder dan het tweede interne voltage is. Een eerste machtshaven van het geheugenapparaat ontvangt een eerste voltage van de machtslevering, en een tweede machtshaven van het geheugenapparaat ontvangt een tweede voltage van de machtslevering, waar het eerste voltage van de machtslevering minder dan het tweede voltage van de machtslevering is. Een interne kring van de voltagegeneratie van het geheugenapparaat is selectief opereerbaar op of een eerste wijze waarop het tweede interne voltage van het eerste voltage van de machtslevering wordt geproduceerd, of een tweede wijze waarop het tweede interne voltage van het tweede voltage van de machtslevering wordt geproduceerd.
