The present invention describes a method for fabricating an x-ray mask tool
which can achieve pattern features having lateral dimension of less than 1
micron. The process uses a thin photoresist and a standard lithographic
mask to transfer an trace image pattern in the surface of a silicon wafer
by exposing and developing the resist. The exposed portion of the silicon
substrate is then anisotropically etched to provide an etched image of the
trace image pattern consisting of a series of channels in the silicon
having a high depth-to-width aspect ratio. These channels are then filled
by depositing a metal such as gold to provide an inverse image of the
trace image and thereby providing a robust x-ray mask tool.
De onderhavige uitvinding beschrijft een methode om een x-ray maskerhulpmiddel te vervaardigen dat kan patrooneigenschappen bereiken die zijafmeting van minder hebben dan 1 micron. Het proces gebruikt dunne photoresist en een standaard lithografisch masker om een patroon van het spoorbeeld in de oppervlakte van een siliciumwafeltje door zich bloot te stellen en te ontwikkelen over te brengen verzet tegenzich. Het blootgestelde gedeelte van het siliciumsubstraat wordt dan anisotropically geëtst om een geëtst beeld van het patroon dat van het spoorbeeld te verstrekken uit een reeks kanalen in het silicium bestaat dat een hoge diepte-aan-breedte aspectverhouding heeft. Deze kanalen worden dan gevuld door een metaal zoals goud te deponeren om een omgekeerd beeld van het spoorbeeld te verstrekken en daardoor een robuust x-ray maskerhulpmiddel te verstrekken.
