When substantially all of a layout for a layer of material in an integrated
circuit (IC) is being defined using a phase shifting mask, the
complementary mask used to define the remaining features and edges can be
improved if some of the cuts on the complementary mask are substantially
180-degrees out of phase with one another. This helps cuts that are close
to one another to print better and prevents undesirable deterioration of
the features printed using the phase mask. Additionally, (semi-)isolated
cuts can be reinforced with assist bars to ensure that the cut clears the
unexposed regions left by phase conflicts.
Όταν ουσιαστικά όλο ένα σχεδιάγραμμα για ένα στρώμα του υλικού σε ένα ολοκληρωμένο κύκλωμα (IC) καθορίζεται χρησιμοποιώντας μια φάση που μετατοπίζει τη μάσκα, η συμπληρωματική μάσκα που χρησιμοποιείται για να καθορίσει τα υπόλοιπες χαρακτηριστικά γνωρίσματα και τις άκρες μπορεί να βελτιωθεί εάν μερικές από τις περικοπές στη συμπληρωματική μάσκα είναι ουσιαστικά 180-βαθμοί από τη φάση με το ένα άλλη. Αυτό βοηθά τις περικοπές που είναι κοντά στο ένα άλλη που τυπώνει καλύτερα και αποτρέπει την ανεπιθύμητη επιδείνωση των χαρακτηριστικών γνωρισμάτων που τυπώνονται χρησιμοποιώντας τη μάσκα φάσης. Επιπλέον, (ημι- οι περικοπές μπορεί να ενισχυθεί με βοηθά τους φραγμούς για να εξασφαλίσει ότι η περικοπή καθαρίζει τις μη εκτεθειμένες περιοχές που αφήνονται από τις συγκρούσεις φάσης.
