A transistor formed on a substrate comprises a gate electrode having a
lateral extension at the foot of the gate electrode that is less than the
average lateral extension of the gate electrode. The increased
cross-section of the gate electrode compared to the rectangular
cross-sectional shape of a prior art device provides for a significantly
reduced gate resistance while the effective gate length, i.e., the lateral
extension of the gate electrode at its foot, may be scaled down to a size
of 100 nm and beyond. Moreover, a method for forming the field effect
transistor described above is disclosed.
Un transistore ha formato su un substrato contiene un elettrodo di cancello che ha un'estensione laterale al piede dell'elettrodo di cancello che è di meno che l'estensione laterale media dell'elettrodo di cancello. La sezione trasversale aumentata dell'elettrodo di cancello confrontato alla figura a sezione trasversale rettangolare di un dispositivo di arte anteriore prevede una resistenza significativamente ridotta del cancello mentre la lunghezza efficace del cancello, cioè, l'estensione laterale dell'elettrodo di cancello al relativo piede, può essere ridotta ad un formato di 100 nm e di là. Inoltre, un metodo per formare il transistore di effetto di campo descritto precedentemente è rilevato.
