A low temperature coefficient resistor (TCRL) has some unrepaired ion
implant damage. The damaged portion raises the resistance and renders the
resistor less sensitive to operating temperature fluctuations A
polysilicon thin film low temperature coefficient resistor and a method
for the resistor's fabrication overcomes the coefficient of resistance
problem of the prior art, while at the same time eliminating steps from
the BiCMOS fabrication process, optimizing bipolar design tradeoffs, and
improving passive device isolation. A low temperature coefficient of
resistance resistor (TCRL) is formed on a layer of insulation, typically
silicon dioxide or silicon nitride, the layer comprising polysilicon
having a relatively high concentration of dopants of one or more species.
An annealing process is used for the implanted resistor which is shorter
than that for typical prior art implanted resistors, leaving some
intentional unannealed damage in the resistor. The planned damage gives
the TCRL a higher resistance without increasing its temperature
coefficient. A process for fabrication of the resistor is used which
combines separate spacer oxide depositions, provides buried layers having
different diffusion coefficients, incorporates dual dielectric trench
sidewalls that double as a polish stop, supplies a spacer structure that
controls precisely the emitter-base dimension, and integrates bipolar and
CMOS devices with negligible compromise to the features of either type.
Резистор коэффициента низкой температуры (TCRL) имеет некоторое unrepaired ион имплантирует повреждение. Поврежденная часть поднимает сопротивление и представляет резистор более менее чувствительным к резистору коэффициента низкой температуры тонкой пленки polysilicon а зыбкост рабочей температуры и метод для изготовления резистора отжимает коэффициент проблемы сопротивления прежнего искусствоа, пока в то же самое время исключающ шагает от процесса изготовления BiCMOS, оптимизируя двухполярных tradeoffs конструкции, и улучшать пассивную изоляцию приспособления. Коэффициент низкой температуры резистора сопротивления (TCRL) сформирован на слое изоляции, типично двуокиси кремния или нитрида кремния, слоя состоя из polysilicon имея относительно высокую концентрацию dopants one or more видов. Процесс отжига использован для имплантированного резистора скороее чем котороедля типичных резисторов прежнего искусствоа имплантированных, оставляющ некоторое преднамеренное unannealed повреждение в резистор. Запланированное повреждение дает TCRL более высокое сопротивление без увеличивать свой коэффициент температуры. Процесс для изготовления резистора использован совмещает отдельно низложения окиси прокладки, обеспечивает похороненные слои имея по-разному коэффициенты диффузии, включает двойные диэлектрические стенки шанца которые удваивают по мере того как польский стоп, поставляет структуру прокладки которая контролирует точно размер излучател-osnovani4, и интегрирует приспособления двухполярных и cmos с незначительным компромиссом к характеристикам любого типа.
