A dual gate semiconductor device, such as a flash memory semiconductor
device, whose plurality of dual gate sidewall spacer structure is formed
by a first and second anti-reflection fabrication process. The sidewall
spacers of the dual transistor gate structures in the core memory region
are left coated with the second anti-reflective coating material, after
being used for gate patterning, to act as sidewall spacers for use in
subsequent ion implant and salicidation fabrication steps. The second
anti-reflective coating material is selected from a material group such as
silicon oxynitride (SiON), silicon nitride (Si.sub.3 N.sub.4), and silicon
germanium (SiGe), or other anti-reflective coating material having optical
properties and that are compatible with the subsequent implant and
salicidation steps.
Un dispositivo doppio a semiconduttore del cancello, quale un dispositivo istantaneo a semiconduttore di memoria, di cui la pluralità di struttura doppia del distanziatore del muro laterale del cancello è costituita da un primo e secondo processo di montaggio di antiriflessione. I distanziatori del muro laterale delle strutture doppie del cancello del transistore nella regione di memoria di nucleo sono lasciati rivestiti con il secondo materiale ricoprente anti-riflettente, dopo usando per il cancello che modella, per fungere da distanziatori del muro laterale per uso ai punti successivi di montaggio del implant e di salicidation dello ione. Il secondo materiale ricoprente anti-riflettente è scelto da un gruppo materiale quali il oxynitride del silicone (SiON), il nitruro di silicio (Si.sub.3 N.sub.4) ed il germanio del silicone (SiGe), o l'altro materiale ricoprente anti-riflettente che ha proprietà ottiche e quello è compatibile con i punti successivi di salicidation e del implant.
