A method of forming integrated circuitry includes chemical vapor depositing
a silicon carbide comprising layer over a substrate at a temperature of no
greater than 500.degree. C. Plasma etching is conducted through at least a
portion of the silicon carbide comprising layer using a gas chemistry
comprising oxygen and hydrogen. Semiconductor processing methods include
the above in fabrication of contact openings and in fabrication of MRAM
circuitry. Semiconductor processing methods also include fabrication of
contact openings using resist and removing silicon carbide comprising
material and resist in a common plasma etching step.
Μια μέθοδος τα ενσωματωμένα στοιχεία κυκλώματος περιλαμβάνει το χημικό ατμό καταθέτοντας ένα καρβίδιο του πυριτίου περιλαμβάνοντας το στρώμα πέρα από ένα υπόστρωμα σε μια θερμοκρασία όχι μεγαλύτερου από 500.degree. Γ. Plasma χαρακτική διευθύνεται μέσω τουλάχιστον μιας μερίδας του καρβιδίου του πυριτίου περιλαμβάνοντας το στρώμα χρησιμοποιώντας μια αέριο χημεία περιλαμβάνοντας το οξυγόνο και το υδρογόνο. Οι μέθοδοι επεξεργασίας ημιαγωγών περιλαμβάνουν τα ανωτέρω στην επεξεργασία των ενάρξεων επαφών και στην επεξεργασία των στοιχείων κυκλώματος MRAM. Οι μέθοδοι επεξεργασίας ημιαγωγών περιλαμβάνουν επίσης την επεξεργασία της χρησιμοποίησης ενάρξεων επαφών αντιστέκονται και αφαιρώντας το καρβίδιο του πυριτίου περιλαμβάνοντας το υλικό και αντιστέκονται σε ένα κοινό βήμα χαρακτικής πλάσματος.
