Semiconductor laser apparatus and fabrication method of same, and semiconductor laser module

   
   

A cavity length is determined on the basis of a relationship of electric drive power to a range of optical output power over 50 mW, for cavity length to be constant as a parameter in a range over 1000 .mu.m, so that the electric drive power is vicinal to a minimum thereof in correspondence to a desirable optical output power. If the optical output is 360 mW for example, a cavity length of 1500 .mu.m is determined to be selected.

Длина полости обусловлена on the basis of отношение электрической силы привода к ряду оптически мощности на выходе над 50 mW, для длины полости быть постоянн как параметр в ряде над mu.m 1000, так, что электрической силой привода будет vicinal к минимуму thereof в корреспонденции к желательной оптически мощности на выходе. Если оптически выход 360 mW например, то обусловлены, что выбрана длина полости mu.m 1500.

 
Web www.patentalert.com

< Process for producing thin metal oxide film

< Lumped raman amplifier for adaptive dispersion compensation

> Acoustic echo cancellation equipped with howling suppressor and double-talk detector

> Magnetic resonance apparatus with sound insulation

~ 00135