A method for fabricating an array of ultra-small pores for use in
chalcogenide memory cells. A layer of a first material is applied onto a
substrate. A portion of the layer of the first material is then removed to
define an upper surface with vertical surfaces extending therefrom to a
lower surface in the first layer of the first material. A fixed layer of a
second material is then applied onto the vertical surfaces of the first
layer of the first material. The fixed layer of the second material has a
first thickness. A second layer of the first material is then applied onto
the fixed layer of the second material. The fixed layer of the second
material is then removed to define an array of pores in the first material
layers. The pores thus defined have minimum lateral dimensions ranging
from approximately 50 to 500 Angstroms and cross sectional areas greater
than or equal to the first thickness of the second layer squared. The
pores thus defined are further equally spaced from adjacent pores by a
spacing ranging from approximately 0.25 to 0.5 microns. The pores thus
defined may then be used to fabricate an array of chalcogenide memory
cells.
Μια μέθοδος για μια σειρά εξαιρετικά-μικρών πόρων για τη χρήση στα κύτταρα μνήμης chalcogenide. Ένα στρώμα ενός πρώτου υλικού εφαρμόζεται επάνω σε ένα υπόστρωμα. Μια μερίδα του στρώματος του πρώτου υλικού αφαιρείται έπειτα για να καθορίσει μια ανώτερη επιφάνεια με τις κάθετες επιφάνειες που επεκτείνονται απ' αυτό σε μια χαμηλότερη επιφάνεια στο πρώτο στρώμα του πρώτου υλικού. Ένα σταθερό στρώμα ενός δεύτερου υλικού εφαρμόζεται έπειτα επάνω στις κάθετες επιφάνειες του πρώτου στρώματος του πρώτου υλικού. Το σταθερό στρώμα του δεύτερου υλικού έχει ένα πρώτο πάχος. Ένα δεύτερο στρώμα του πρώτου υλικού εφαρμόζεται έπειτα επάνω στο σταθερό στρώμα του δεύτερου υλικού. Το σταθερό στρώμα του δεύτερου υλικού αφαιρείται έπειτα για να καθορίσει μια σειρά πόρων στα πρώτα υλικά στρώματα. Οι πόροι που καθορίζονται έτσι έχουν τις ελάχιστες πλευρικές διαστάσεις που κυμαίνονται από περίπου 50 έως 500 Angstroms και τις διατομικές περιοχές μεγαλύτερο ή ίσο το πρώτο πάχος του δεύτερου στρώματος που τακτοποιείται. Οι πόροι που καθορίζονται έτσι είναι περαιτέρω ισοδιάστατοι από τους παρακείμενους πόρους με ένα διάστημα κυμαινόμενος από περίπου 0,25 έως 0,5 μικρά. Οι πόροι που καθορίζονται έτσι μπορούν έπειτα να χρησιμοποιηθούν για να κατασκευάσουν μια σειρά κυττάρων μνήμης chalcogenide.
