A process for forming a substantially planarized nanoporous dielectric
silica coating on a substrate suitable for preparing a semiconductor
device, and semiconductor devices produced by the methods of the
invention. The process includes the steps of applying a composition that
includes at least one silicon-based dielectric precursor to a substrate,
and then,
(a) gelling or aging the applied coating,
(b) contacting the coating with a planarization object with sufficient
pressure to transfer a planar impression to the coating without
substantially impairing formation of desired nanometer-scale pore
structure,
(c) separating the planarized coating from the planarization object,
(d) curing said planarized coating;
wherein steps (a)-(d) are conducted in any one of the following sequences:
(a), (b), (c) and (d);
(a), (d), (b) and (c);
(b), (a), (d) and (c); and
(b), (c), (a) and (d).
Процесс для формировать а существенн planarized nanoporous диэлектрический кремнезем покрывая на субстрате целесообразном для подготовлять прибора на полупроводниках, и прибора на полупроводниках произвели методами вымысла. Процесс вклюает шаги прикладывать состав вклюает по крайней мере один кремни-osnovanny1 диэлектрический прекурсор к субстрату, и после этого, (a) gelling или стареть applied покрытие, (b) контактирующ покрытие с предметом planarization с достаточно давлением перенести плоскостное впечатление к покрытию без существенн повреждать образование после того как я пожеланы нанометр-vycisl4ht по маштабу структуру поры, (c) отделять planarized покрывать от предмета planarization, (d) сказанный лечить planarized покрывать; при котором шаги (a)-(d-(d) дирижированы в любое одной из following последовательностей: (a), (b), (c) и (d); (a), (d), (b) и (c); (b), (a), (d) и (c); и (b), (c), (a) и (d).
