The invention concerns a method comprising evaporating silicon and/or
SiO.sub.x, wherein said evaporating is further defined as occurring in the
presenceof oxygen if silicon or SiO.sub.x with x less than two is being
evaporated, to form a silicon oxide film at the surface of a substrate and
in bombarding said silicon film, while it is being formed, with a beam of
positive ions derived from both a polyfluorocarbon compound and a rare
gas. The invention is useful for producing low-index antiglare films.
L'invention concerne une méthode comportant le silicium d'évaporation et/ou le SiO.sub.x, où ladite évaporation est encore définie comme se produisant dans l'oxygène de presenceof si le silicium ou le SiO.sub.x avec x moins de deux est évaporé, pour former un film d'oxyde de silicium sur la surface d'un substrat et en ledit film de bombardement de silicium, alors qu'elle est formée, avec un faisceau des ions positifs dérivés d'un composé de polyfluorocarbon et d'un gaz rare. L'invention est utile pour produire des films d'antiglare d'bas-index.
