Photolithography apparatus and exposure method

   
   

A photolithography apparatus includes a laser beam source, a focusing lens, a detecting unit, and a control unit. The laser beam source emits a laser beam. The focusing lens is disposed in the near field of an exposure surface of an exposure substrate for receiving the laser beam emitted from the laser beam source. The detecting unit detects one linearly polarized component of the laser beam reflected from the distal end surface of the focusing lens. The control unit controls the distance between the distal end surface of the focusing lens and the exposure surface based on a detection signal supplied from the detecting unit.

Un appareillage de photolithographie inclut une source de rayon laser, un objectif se focalisant, une unité détectante, et une unité de commande. La source de rayon laser émet un rayon laser. L'objectif se focalisant est disposé dans le domaine proche d'une surface d'exposition d'un substrat d'exposition pour recevoir le rayon laser émis de la source de rayon laser. L'unité détectante détecte un composant linéairement polarisé du rayon laser reflété de la surface distale d'extrémité de l'objectif se focalisant. L'unité de commande commande la distance entre la surface distale d'extrémité de l'objectif se focalisant et la surface d'exposition basée sur un signal de détection fourni à partir de l'unité détectante.

 
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