A quantum well structure having an indium gallium arsenide phosphide
(InGaAsP) quantum well active region has a low temperature grown indium
phosphide (LT-InP) cap layer grown on it. Defects in the cap layer are
intermixed into the quantum well active region by rapid thermal annealing
to produce a blue shift in the active region. The blue shift increases as
the growth temperature of the LT-InP cap layer decreases or as the
phosphine flow rate during production of the LT-InP layer increases.
Una estructura del pozo del quántum que tiene una región activa del pozo del quántum del phosphide del arseniuro de galio del indio (InGaAsP) tiene una capa crecida del casquillo del phosphide de indio de la baja temperatura (Teniente-INP) crecida en ella. Los defectos en la capa del casquillo son entremezclados en la región activa del pozo del quántum por el recocido termal rápido para producir una cambio azul en la región activa. La cambio azul aumenta mientras que la temperatura del crecimiento de las disminuciones de la capa del casquillo Teniente-INP o como el caudal de las fosfinas durante la producción de la capa Teniente-INP aumenta.
