A memory cell array has a unit formed from one memory cell and two select
transistors sandwiching the memory cell. One block has one control gate
line. Memory cells connected to one control gate line form one page. A
sense amplifier having a latch function is connected to a bit line. In a
data change operation, data of memory cells of one page are read to the
sense amplifiers. After data are superscribed on data in the sense
amplifiers, and a page erase is performed, data in the sense amplifiers
are programmed in the memory cells of one page. Superscription of data in
the sense amplifiers allows a data change operation for byte data or page
data.
Блок ячейкы памяти имеет блок сформированный от один ячейкы памяти и 2 отборные транзисторов прослаивая ячейкы памяти. Один блок имеет одну линию строба управления. Ячейкы памяти соединились до одна страница формы одной линии строба управления. Усилитель чувства имея функцию защелки соединен к линии бита. В данных измените деятельность, данные ячейкы памяти одной страницы прочитайте к усилителям чувства. После того как данные superscribed на данных в усилителях чувства, и страница стирает выполнена, данные в усилителях чувства запрограммирована в ячейкы памяти одной страницы. Superscription данных в усилителях чувства позволяет деятельность изменения данных для данных по байта или данных по страницы.
