InP heterojunction bipolar transistors having a base layer of InGaAs which
are compositionally graded to engineer the bandgap of the base layer to be
larger at the emitter/base junction than at the collector/base junction.
The graded bandgap can increase DC current gain and speed of the device. A
metalorganic chemical vapor deposition method of preparing InP
heterojunction bipolar transistors having a base layer with a relatively
high concentration of carbon dopant. The high carbon dopant concentration
lowers the base sheet resistivity and turn-on voltage of the device.
Транзисторы гетероперехода inP двухполярные имея низкопробный слой InGaAs compositionally рассортированы для того чтобы проектировать bandgap низкопробного слоя для того чтобы быть большле на соединении emitter/base чем на соединении collector/base. Рассортированное bandgap может увеличить увеличение dc в настоящее время и скорость приспособления. Metalorganic метод низложения химически пара подготовлять транзисторы гетероперехода inP двухполярные имея низкопробный слой с относительно высокой концентрацией dopant углерода. Высокая концентрация dopant углерода понижает низкопробную резистивность листа и turn-on напряжение тока приспособления.
