The present invention provides for characterization of a film (e.g.,
thickness determination for a silicon oxynitride film) using a comparison
process (e.g., a fitting process) to compare measured peak shapes for
elemental and/or chemical species (e.g., Si peak shapes previously
measured for a particular process to be monitored) to collected spectral
data (e.g., using a non-linear least squares fitting algorithm).
Присытствыющий вымысел обеспечивает для характеризации пленки (например, определения толщины для пленки oxynitride кремния) используя процесс сравнения (например, fitting процесс) для того чтобы сравнить измеренные формы пика для elemental and/or химически видов (например, пик кремния формирует ранее после того как он измерен для определенного процесса, котор нужно контролировать) к собранным спектральным данным (например, использовать нелинейно наименьшие квадраты приспосабливая алгоритм).
