The invention provides a .gtoreq.4 kHz repetition rate argon fluoride
excimer laser system for producing an UV wavelength 193 nm output. The
.gtoreq.4 kHz repetition rate argon fluoride excimer laser system includes
an argon fluoride excimer laser chamber for producing a 193 nm discharge
at a pulse repetition rate .gtoreq.4 kHz. The .gtoreq.4 kHz repetition
rate argon fluoride excimer laser chamber includes magnesium fluoride
crystal optic windows for outputting the 193 nm discharge as a .gtoreq.4
kHz repetition rate excimer laser 193 nm output with the magnesium
fluoride crystal optic windows having a 255 nm induced absorption less
than 0.08 Abs/42 mm when exposed to 5 million pulses of 193 nm light a
fluence .gtoreq.40 mj/cm.sup.2 /pulse and a 42 mm crystal 120 nm
transmission of at least 30%.
L'invenzione fornisce un sistema del laser del excimer del fluoruro dell'argon di tasso di ripetizione di chilociclo del gtoreq.4 per produrre un'uscita UV di nm di lunghezza d'onda 193. Il sistema del laser del excimer del fluoruro dell'argon di tasso di ripetizione di chilociclo del gtoreq.4 include un alloggiamento del laser del excimer del fluoruro dell'argon per produrre uno scarico di 193 nm ad un gtoreq.4 chilociclo di tasso di ripetizione di impulso. L'alloggiamento del laser del excimer del fluoruro dell'argon di tasso di ripetizione di chilociclo del gtoreq.4 include le finestre ottiche di cristallo del fluoruro del magnesio per la produzione dello scarico di 193 nm come un'uscita del laser 193 nm del excimer di tasso di ripetizione di chilociclo del gtoreq.4 con le finestre ottiche di cristallo del fluoruro del magnesio che hanno i 255 nm induce l'assorbimento meno di 0.08 Abs/42 millimetro una volta esposta a 5 milione impulsi della luce di 193 nm un gtoreq.40 mj/cm.sup.2 /pulse di fluence e 42 una trasmissione di nm del cristallo 120 di millimetro almeno di 30%.
