A semiconductor laser comprises a sapphire substrate, an AlN buffer layer,
Si-doped GaN n-layer, Si-doped Al.sub.0.1 Ga.sub.0.9 N n-cladding layer,
Si-doped GaN n-guide layer, an active layer having multiple quantum well
(MQW) structure in which about 35 .ANG. in thickness of GaN barrier layer
62 and about 35 .ANG. in thickness of Ga.sub.0.95 In.sub.0.55 N well layer
61 are laminated alternately, Mg-doped GaN p-guide layer, Mg-doped
Al.sub.0.25 Ga.sub.0.75 N p-layer, Mg-doped Al.sub.0.1 Ga.sub.0.9 N
p-cladding layer, and Mg-doped GaN p-contact layer are formed successively
thereon. A ridged hole injection part B which contacts to a ridged laser
cavity part A is formed to have the same width as the width w of an Ni
electrode. Because the p-layer has a larger aluminum composition, etching
rate becomes smaller and that can prevent from damaging the p-guide layer
in this etching process.
Un laser del semiconductor abarca un substrato del zafiro, una capa del almacenador intermediario de AlN, n-capa Silicio-dopada de GaN, capa Silicio-dopada del n-revestimiento de Al.sub.0.1 Ga.sub.0.9 N, capa Silicio-dopada de la n-gui'a de GaN, una capa activa que tiene estructura múltiple del pozo del quántum (MQW) en la cual el ANG cerca de 35. en el grueso de la capa de barrera de GaN 62 y ANG Cerca de 35. en el grueso de la capa bien de Ga.sub.0.95 In.sub.0.55 N 61 se laminan alternativamente, capa Magnesio-dopada de la p-gui'a de GaN, jugador Magnesio-dopado de Al.sub.0.25 Ga.sub.0.75 N, capa Magnesio-dopada del p-revestimiento de Al.sub.0.1 Ga.sub.0.9 N, y GaN Magnesio-dopado p-entra en contacto con capa se forma sucesivamente sobre eso. Una parte surcada B de la inyección del agujero que entra en contacto con a una parte surcada A de la cavidad del laser se forma para tener la misma anchura que la anchura W de un electrodo del Ni. Porque el jugador tiene una composición de aluminio más grande, grabar al agua fuerte tarifa llega a ser más pequeño y ése puede prevenir de dañar la capa de la p-gui'a en este proceso de la aguafuerte.
