A vertical cavity surface emitting laser (VCSEL) capable of producing
long-wavelength light has a substrate of InP and an active region with
alternating quantum wells and barrier layers. The target wavelength range
is preferably between 1.2-1.4 um. The quantum well is made of AlGaAsSb or
GaAsSb, and the barrier layers are made of AlGaAsSb, AlInGaAs, or AlInAs.
The active region is sandwiched between two mirror stacks that are
preferably epitaxially grown Distributed Bragg Reflectors. The active
region has large conduction and valence band offsets (.DELTA.E.sub.c and
.DELTA.E.sub.v) for effective carrier containment over the wide range of
ambient temperatures in which the VCSEL is expected to function. The
active region can be designed to have little or no lattice strain on the
InP substrate.
Een verticale holteoppervlakte die laser (VCSEL) uitzendt geschikt om lang-golflengtelicht te veroorzaken heeft een substraat van InP en een actief gebied met afwisselende quantumputten en barrièrelagen. De waaier van de doelgolflengte is bij voorkeur tussen 1.2-1.4 um. Het quantum wordt goed gemaakt van AlGaAsSb of GaAsSb, en de barrièrelagen worden gemaakt van AlGaAsSb, AlInGaAs, of AlInAs. Het actieve gebied wordt geklemd tussen twee spiegelstapels die bij voorkeur epitaxially gekweekte Verdeelde Reflectors Bragg zijn. Het actieve gebied heeft grote geleiding en valentiebandcompensatie (DELTA.E.sub.c en DELTA.E.sub.v) voor efficiënte dragerinsluiting over de brede waaier van omgevingstemperatuur waarin VCSEL om wordt verondersteld te functioneren. Het actieve gebied kan worden ontworpen om weinig of geen roosterspanning op het substraat te hebben InP.
