An etching method, such as for forming a micromechanical device, is
disclosed. One embodiment of the method is for releasing a micromechanical
structure, comprising, providing a substrate; providing a sacrificial
layer directly or indirectly on the substrate; providing one or more
micromechanical structural layers on the sacrificial layer; performing a
first etch to remove a portion of the sacrificial layer, the first etch
comprising providing an etchant gas and energizing the etchant gas so as
to allow the etchant gas to physically, or chemically and physically,
remove the portion of the sacrificial layer; performing a second etch to
remove additional sacrificial material in the sacrificial layer, the
second etch comprising providing a gas that chemically but not physically
etches the additional sacrificial material. Another embodiment of the
method is for etching a silicon material on or within a substrate,
comprising: performing a first etch to remove a portion of the silicon,
the first etch comprising providing an etchant gas and energizing the
etchant gas so as to allow the etchant gas to physically, or chemically
and physically, remove the portion of silicon; performing a second etch to
remove additional silicon, the second etch comprising providing an etchant
gas that chemically but not physically etches the additional silicon.
Un método de la aguafuerte, por ejemplo para la formación de un dispositivo micromechanical, se divulga. Una encarnación del método está para lanzar una estructura micromechanical, el abarcar, proporcionando un substrato; proporcionando una capa sacrificatoria directamente o indirectamente en el substrato; abastecimiento de unas o más capas estructurales micromechanical en la capa sacrificatoria; realizando un primer grabado de pistas para quitar una porción de la capa sacrificatoria, del primer grabado de pistas abarcando proporcionando un gas etchant y energizando el gas etchant para permitir el gas etchant físicamente, o químicamente y físicamente, quite la porción de la capa sacrificatoria; realizando un segundo grabado de pistas para quitar el material sacrificatorio adicional en la capa sacrificatoria, el segundo grabado de pistas abarcando proporcionando un gas que químicamente pero para grabar al agua fuerte no físicamente el material sacrificatorio adicional. Otra encarnación del método está para grabar al agua fuerte un material del silicio en o dentro de un substrato, abarcando: realizando un primer grabado de pistas para quitar una porción del silicio, del primer grabado de pistas abarcando proporcionando un gas etchant y energizando el gas etchant para permitir el gas etchant físicamente, o químicamente y físicamente, quite la porción de silicio; realizando un segundo grabado de pistas para quitar el silicio adicional, el segundo grabado de pistas que abarca proporcionando un gas etchant que químicamente pero para grabar al agua fuerte no físicamente el silicio adicional.
