In a fabrication method of a microstructure array, such as a mold for
forming a microlens array, a first insulating mask layer is formed on a
conductive portion of s substrate, an array of openings for the
microstructure array and at least an opening for an alignment marker are
formed in the first insulating mask layer during a common process to
expose the conductive portion of the substrate at the openings, and first
plated or electrodeposited layers are grown in the openings and on the
first insulating mask layer using the conductive portion of the substrate
as a cathode. The opening for the alignment marker is surrounded by the
array of openings for the microstructure array, and a pattern of the
opening for the alignment marker is determined such that a current density
distribution at the time of electroplating or electrodeposition can be
oppressed.
In einer Herstellung Methode einer Mikrostrukturreihe, wie eine Form für die Formung einer microlens Reihe, wird eine erste isolierende Schablone Schicht auf einem leitenden Teil des s Substrates gebildet, werden eine Reihe Öffnungen für die Mikrostrukturreihe und mindestens eine Öffnung für eine Ausrichtung Markierung in der ersten isolierenden Schablone Schicht während eines allgemeinen Prozesses gebildet, um den leitenden Teil des Substrates an den Öffnungen herauszustellen und überzogen zuerst oder electrodeposited Schichten werden gewachsen in den Öffnungen und auf der ersten isolierenden Schablone Schicht mit dem leitenden Teil des Substrates als Kathode. Die Öffnung für die Ausrichtung Markierung wird durch die Reihe der Öffnungen für die Mikrostrukturreihe umgeben, und einem Muster der Öffnung für die Ausrichtung Markierung wird so festgestellt, daß eine Stromdichteverteilung zu der Zeit des Galvanisierens oder des galvanischen Niederschlags unterdrückt werden kann.
